Установка реактивного ионного травления TFA100E-RIE
Установка предназначена для реактивного ионного травления пассивирующих слоев (SiO2, SiNx), адгезионных слоев (TaN), травления кремния с обратной стороны, травления вольфрама в отверстиях и других процессов.
Установка обеспечивает высокую скорость травления материала, высокий коэффициент селективности травления, не допускает перегрев образцов. Модель позволяет получать микро- и наноструктуры, поддерживает различные размеры образцов.
Особенности установки реактивного ионного травления TFA100E-RIE:
- Высокая скорость травления
- Высокая селективность
- Подходит для образцов различных размеров
- Полностью автоматизированный процесс
- Возможность регулировки параметров процесса: давления, мощности плазменного источника, расхода рабочих газов
Технические характеристики установки реактивного ионного травления TFA100E-RIE:
| Макс. диаметр пластин/подложек | 4’’, 8’’, 12’’ (другие размеры – по запросу) |
| Скорость травления | 50 – 150 нм/мин |
| Шероховатость поверхности после травления | < 1 нм |
| Коэффициент селективности | Cu/Al: > 50 |
| Мощность RF плазменного источника | 300 / 500 / 1000 Вт |
| Количество газовых линий | до 9 шт. |
| Система откачки | Турбомолекулярный насос, форвакуумный насос |
| Давление в камере | 0 – 1 Торр |
| Габаритные размеры | 1300 мм x 750 мм x 950 мм |