Система магнетронного распыления
Система магнетронного распыления, незаменима для формирования тонкопленочной топологии на поверхности подложек.
Ключевые особенности и опции
• Источник магнетронного распыления размером до 254 мм
• Диаметр подложек до 300 мм
• Возможность создавать многослойные структуры (до четырех мишеней)
• RF или DC источники • Роботизированная загрузка подложек
• Высоковакуумная система: - турбомолекулярный вакуумный насос - криогенный вакуумный насос
• Температура нагрева до 400 °C
• Диаметр подложек до 300 мм
• Возможность создавать многослойные структуры (до четырех мишеней)
• RF или DC источники • Роботизированная загрузка подложек
• Высоковакуумная система: - турбомолекулярный вакуумный насос - криогенный вакуумный насос
• Температура нагрева до 400 °C
Технические характеристики системы
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Диаметр и толщина подложек | До Ø300 мм; толщина — до 3 мм |
| Однородность плёнок | ±5 % для подложек Ø150 мм при нанесении Al, Ti, Cr и других материалов |
| Количество мишеней | До 4 шт. |
| Размеры мишеней | 50, 75, 100, 150, 175 и 254 мм |
| Магнетрон | Катод SS-100; до 4 шт. диаметром 100 мм; настройка расстояния между магнетроном и подложкой — опционально |
| RF-источник питания для очистки | 0,3 кВт |
| RF-источник питания для нанесения диэлектриков | 1,0 кВт |
| DC-источник питания для нанесения металлов | 5,0 кВт |
| Предельный вакуум | 2 × 10⁻⁷ Торр |
| Скорость натекания | < 1,0 × 10⁻⁸ ст. см³/с |
| Температура подложки | До 350 °C |